MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能(pdf 11頁)

與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術在發展方向上正經曆著一場重大的變革。如今，並在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點（POL）電源應用的決定性因素。對於工作電壓為1V或以下且對時鍾速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決於功率MOSFET能否進行高效開關操作並提供所需的瞬態響應。自1999年至今，瞬態響應要求已經從20A/μs提高至325A/μs左右，預計將於2004年達到400A/μs。
為了對上述的電源要求有所了解，我們先來看一下以往的轉換器設計。一直以來，用於給微處理器供電的POL DC-DC轉換器也包括單相標準或同步降壓型轉換器。直到不久以前，這些類型的轉換器仍然能夠滿足需要，因為微處理器的工作電流一般都維持在30A以下。然而，當今處理器的工作電流已經突破了30A，而且，電流需求仍在繼續呈指數性增長。在這種情形下，單相降壓轉換器已不再能夠對現今的處理器進行高效供電，原因是：
? 它們需要采用較高的電感值來最大限度地減小輸出紋波電流。
? 增大電感值以減小紋波電流會使瞬態響應速度有所減緩。……
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