芯片製造技術(doc 10頁)

按照能量供給方式的不同，RFID標簽可以分為被動標簽，半主動標簽和主動標簽，其中半主動標簽和主動標簽中芯片的能量由電子標簽所附的電池提供，主動標簽可以主動發出射頻信號。按照工作頻率的不同，RFID標簽可以分為低頻(LF)、高頻(HF)、超高頻(UHF)和微波等不同種類。不同頻段的RFID工作原理不同，LF和HF頻段RFID電子標簽一般采用電磁耦合原理，而UHF及微波頻段的RFID一般采用電磁發射原理。不同頻段標簽芯片的基本結構類似，一般都包含射頻前端、模擬前端、數字基帶和存儲器單元等模塊。其中，射頻前端模塊主要用於對射頻信號進行整流和反射調製；模擬前端模塊主要用於產生芯片內所需的基準電源和係統時鍾，進行上電複位等；數字基帶模塊主要用於對數字信號進行編碼解編碼以及進行防碰撞協議的處理等；存儲器單元模塊用於信息存儲。
目前，發達國家在多種頻段都實現了RFID標簽芯片的批量生產，模擬前端多采用了低功耗技術，無源微波RFID標簽的工作距離可以超過1米，無源超高頻RFID標簽的工作距離可以達到5米以上，功耗可以做到幾個微瓦，批量成本接近十美分。
射頻標簽的通信標準是標簽芯片設計的依據，目前國際上與RFID相關的通信標準主要有:ISO/IEC 18000標準（包括7個部分，涉及125KHz, 13.56MHz, 433MHz, 860－960MHz, 2.45GHz等頻段），ISO11785（低頻），ISO/IEC 14443標準（13.56MHz），ISO/IEC 15693標準（13.56MHz），EPC標準（包括Class0, Class1和GEN2等三種協議,涉及HF和UHF兩種頻段）,DSRC標準（歐洲ETC標準，含5.8GHz）。目前電子標簽芯片的國際標準出現了融合的趨勢，ISO/IEC 15693標準已經成為ISO18000－3標準的一部分，EPC GEN2標準也已經啟動向ISO18000－6 Part C標準的轉化。

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