微米側壁幹法刻蝕工藝的開發與優化(PDF 69頁）

摘要1
ABSTRACl-??2
第一章前言3
§11課題背景一半導體製造業的發展????3
§12研究目的一開發並優化新工藝的意義??5
§13論文結構6
第二章幹法刻蝕回顧7
§21幹法刻蝕原理??7
§22側壁(Spacer)在工藝流程中的作用??15
第三章半導體中實驗設計(DOE)方法??16
§31實驗設計(DOE)的原理和方法????16
§32實驗檢測工具和分析工具??16
第四章O18微米側壁(Spacer)刻蝕工藝的開發和優化??19
§41 O18微米側壁(Spacer)工藝概述????19
§42 018微米側壁(Spacer)現有工藝存在的問題???19
§43在DPS Plus設備上的工藝優化22
§431使用新工藝氣體SF6進行工藝開發22
§432改變矽片背麵氦氣壓力進行工藝優化????～38
§433改變工藝氣體CF4的組成進行工藝優化???42
第五章結論????63
參考文獻?66
致謝??67
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