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第2 章 製造過程的防靜電損傷技術
靜電現象是客觀存在的，防止靜電對元器件損傷的途徑隻有兩條：一是從元器件的設計和製造上進行抗靜電設計和工藝優化，提高元器件內在的抗靜電能力；另一方麵，就是采取靜電防護措施，使器件在製造、運輸和使用過程中盡量避免靜電帶來的損傷。對元器件的使用方，包括後工序廠家、電路板、組件製造商以及整機廠商來說，主要甚至隻能采取後一種方法來防止或減少靜電對元器件的損害。
2.1 靜電防護的作用和意義
為什麼要在製造過程中采取防靜電控製措施？我們從以下三個方麵來說明。
2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件
多數未采取保護措施的元器件靜電放電敏感度都是很低，很多在幾百伏的範圍，如MOS單管在100-200V之間，GaAs FET在100－300V之間，而且這些單管是不能增加保護電路的；一些電路尤其是CMOS IC采取了靜電保護設計，可雖然以明顯的提高抗ESD水平，但大多數也隻能達到2000－4000V，而在實際環境中產生的靜電電壓則可能達到上萬伏（如第1章的表1.4和表1.6。因此，沒有防護的元器件很容易受到靜電損傷。而且隨著元器件尺寸的越來減小，這種損傷就會越來越多。所以我們說，絕大多數元器件是靜電敏感器件，需要在製造、運輸和使用過程中采取防靜電保護措施。表2.1列出了一些沒有靜電保護設計器件的靜電放電敏感度。
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