電子元器件抗ESD技術(doc 34頁)

引 言
第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識
第2章 製造過程的防靜電損傷技術
第3章“抗靜電檢測及分析技術”
第4章“電子元器件抗ESD設計技術”，

引 言
隨著電子元器件技術的發展，靜電對元器件應用造成的危害越來越明顯。
一方麵，電子元器件不斷向輕、薄、短、小、高密度、多功能等方向發展，因而元器件的尺寸越來越小，尤其是微電子器件，COMS IC中亞微米柵已進入實用化，柵條寬度達到0.18um，柵氧厚度為幾個nm或幾十個?，柵氧的擊穿電壓小於20V。尺寸的減小，就使電子元器件對靜電變得更加敏感。而大量新發展起來的特種器件如GaAs 單片集成電路（MMIC）、新型的納米器件以及高頻聲表麵波器件（SAW）等多數也都是靜電敏感元器件；另一方麵，在電子元器件製造和應用環境中，作為靜電主要來源的各種高分子材料被廣泛采用，使得靜電的產生更加容易和廣泛。因此，必須應用各種抗靜電放電損傷的技術，使靜電對電子元器件的危害減小到最低的程度。
編寫本講義的主要目的是對電子元器件製造和應用行業的有關技術和管理人員進行“電子元器件抗靜電放電損傷技術”的基礎培訓。

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